ساختار نوار الکترونیکی CdTe و HgTe

چکیده مقاله

ساختار نواری الکترونیکی نیمه هادیهای CdTe و HgTe با در نظر گرفتن اندرکنش اسپین-مدار به روش شبه پتانسیل محاسبه شده است. ضرایب شکل اتمی از یک تابع هموار با ضرایب قابل تنظیم بدست می ایند. این تابع امکان مطالعه ساختار نواری آلیاژهای آنها را نیز فراهم می کند.